IGBT 5.0技术实现超低导通损耗和开关损耗已量产

近日，第三届硬核中国芯领袖峰会暨汽车芯片技术创新与应用论坛在线上举行，比亚迪半导体功率半导体产品中心高级市场经理孙允帅，出席本次线上云峰会并发表主题为《车规IGBT技术的最新进展》演讲。

孙允帅表示，2018年，比亚迪半导体发布车规级领域具有标杆性意义的IGBT4.0技术，IGBT4.0芯片通过精细化平面栅设计，使得同等工况下，综合损耗较市场主流产品降低了约20%，整车电耗显著降低。

他透露，目前比亚迪半导体基于高密度Trench FS的IGBT 5.0技术已实现量产，IGBT5.0(Trecnch FS IGBT)采用了微沟槽结构及复合场中止技术，实现了超低的导通损耗和开关损耗，并且由于经过极致调教的复合场终止技术，实现了软关断。

同时，公司正在积极布局新一代 IGBT 技术，致力于进一步提高 IGBT 芯片的电流密度，提升功率半导体的可靠性，降低产品成本，提高应用系统的整体功率密度。

未来，比亚迪半导体IGBT芯片将在核心技术、制造工艺及结构设计等方面不断寻求创新突破。

关于下一代功率器件的核心Sic，他表示，比亚迪半导体SiC车用功率模块，具有Pin-fin直接水冷结构，结构十分紧凑，仅一个手掌大小，输出功率250KW，优良的性能使其在新能源汽车电机驱动上带来明显的效率提升，并使电机驱动控制器体积减小60%以上。

比亚迪半导体SiC功率模块

“后期，比亚迪半导体将往超小型双面烧结SiC发展，其具有应用灵活、散热效率高等优势。目前有关产品在研中，预期实现产品革新的又一跨越。”孙允帅表示。

IGBT 5.0技术实现超低导通损耗和开关损耗 已量产